ナノ粒子積層による低誘電率ポーラスダイヤモンド膜の形成
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概要
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ULSIの微細化、多層化によるRC遅延低減のための新規低誘電率材料の開発を行った。材料の構造上、配向分極、イオン分極が無く、電子分極が小さい材料としてダイヤモンドに着目し、ダイヤモンドナノ粒子のコロイド溶液をスピンコートする方法でポーラスダイヤモンド膜の形成を行った。さらに、二官能のシランカップリング剤であるヘキサクロロジシロキサンを導入し、粒子間結合を形成することで膜の機械的強度・密着性を向上できた。グラファイト不純物を除去した高純度ダイヤモンドナノ粒子を用いることで、比誘電率(静電誘電率)が2.48で密着性のある低誘電率ポーラスダイヤモンド膜を実現した。
- 2003-01-31
著者
-
新宮原 正三
関西大学大学院工学研究科
-
新宮原 正三
Hiroshima University Graduate School Of Adsm
-
新宮原 正三
広島大学先端物質科学研究科
-
坂上 弘之
広島大学大学院先端物質科学研究科量子物質科学専攻
-
高萩 隆行
広島大学大学院先端物質科学研究科量子物質科学専攻
-
新宮原 正三
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
石川 佐千子
大研化学工業(株)
-
富本 博之
科学技術振興事業団研究成果活用プラザ広島
-
高萩 隆行
広島大学大学院先端物質科学研究科
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