超薄膜シリコン界面制御層によるInP表面の制御
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概要
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シリコン界面制御層(Si ICL)の概念に基づく, 新しいオキサイドフリーのMIS構造をInP表面に適用した. 疑似格子整合したMBE成長SiICL(〜1nm)でInPの表面ボンドを終端し, Si ICLはECR窒素プラズマによる部分窒化により形成されたSi_3N_4超薄膜によりパッシベーションされた. 詳細なin-situ XPS測定によりプロセスを最適化し, monolayerレベルでのICLの制御を実現した. C-V測定より得られた界面準位密度の最小値は2×1O^<10>cm^2eV^<-1>となり, 窒化膜ベースのInP MIS構造での最も低い値が得られた.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-14
著者
-
高橋 浩
北海道大学 エネルギー先端工学研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
高橋 浩
北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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