バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 : 薄膜中の局所欠陥制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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抵抗変化型メモリ(ReRAM)は、次世代の不揮発性メモリとして期待されている.その動作原理は、抵抗変化膜中に形成されるフィラメントにより起こると考えられており、フィラメントの位置制御や形成電圧の低減が求められている.抵抗変化メモリにおいて、その動作を担うフィラメントを制御することは、メモリ特性改善に有用である。本研究では、バイオナノプロセスを用いてフィラメントの位置制御を行った。フィラメント位置制御のために特異的認識能力を持つタンパク質により包まれた金ナノ粒子を局所電極に利用した.メモリセル内に局所電極を配置することで、フィラメントの位置制御およびフォーミング電圧の低減が可能であることが明らかとなった.これらの結果には、NiO膜中の局所欠陥が関係していることが分かった.
- 2012-04-20
著者
-
山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
上沼 睦典
奈良先端科学技術大学院大学
-
浦岡 行治
奈良先端科学技術大学院大
-
浦岡 行治
奈良先端大:crest
-
山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学:パナソニック
-
鄭 彬
奈良先端科技大:crest-jst
-
鄭 彬
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
番 貴彦
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
上沼 睦典
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
鄭 彬
奈良先端科学技術大学院大学:CREST JST
-
山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学
-
鄭 彬
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:CREST JST
-
浦岡 行治
奈良先端大物質創成科学研究科
-
上沼 睦典
大阪大学大学院工学研究科
-
番 貴彦
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
鄭 彬
奈良先端科学技術大学院大学
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