かご状タンパク質を利用した分子スケール接合制御によるCNT薄膜の熱電特性の向上(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
身の回りの排熱エネルギーを再利用する手段として、大面積に低コストで利用できるフレキシブル熱電素子が望まれている。カーボンナノチューブ(CNT)コンポジットは高い導電率や引っ張り強度を持たせることができることというメリットがあるが、CNTそのもののゼーベック係数が低く、熱伝導率が高いため、そのままでは熱電材料として適していない。これに対して、我々は、CNT単繊維の接合部にコアシェル型の粒子を挿入することによって、熱伝導率を抑制するとともにゼーベック係数を向上させるという新しい熱電材料設計指針を提案する。これを実証するために、本研究ではCNTに選択的に吸着するかご状タンパク質を利用した。かご状タンパク質に内包される無機粒子の種類を変えてナノコンポジット膜を作製し、熱電特性の評価を行ったところ、p型半導体的な粒子を用いた場合に、ゼーベック係数と導電率がともにCNTのみの膜の値よりも増加した。この結果は、ナノコンポジットのゼーベック係数の増加が接合部の局所ゼーベック効果の加算によって起こっていることを示している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-11
著者
-
山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
中村 雅一
奈良先端科学技術大学大学院
-
松原 亮介
奈良先端科学技術大学大学院
-
山下 一郎
奈良先端科学技術大学院大学
-
戸松 康行
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
伊藤 光洋
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
岡本 尚文
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
関連論文
- バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- フェリチンタンパク質により形成したナノ粒子の抵抗変化メモリ応用 : 金属ナノ粒子による伝導パスの制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- パルス急速熱処理によるNi内包フェリチンを用いた結晶成長速度の向上(シリコン関連材料の作製と評価)
- 走査型プローブ顕微鏡を用いた単一バイオナノドットの電気特性解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- Ni内包フェリチンタンパク質を用いた多結晶シリコンの大粒径化(シリコン関連材料の作製と評価)
- フェリチンタンパク質コアの非晶質Si薄膜中熱処理による還元(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 生体超分子を用いた高機能化ナノシステム : シリコン薄膜の低温結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 生体超分子を用いた高機能化ナノシステム : シリコン薄膜の低温結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- バイオの技術を応用した新しい半導体デバイスの研究
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 蛋白ナノ集積プロセスと応用
- フェリチンタンパクのSi基板への直接吸着(半導体Si及び関連材料・評価)
- フェリチンタンパク質を用いたナノデバイスの作製
- ナノカラム作製のための金属タンパク質の配列制御
- T1602-3-1 MEMS用Si薄膜材料の内部応力増強に向けたNiフェリチンを用いた金属誘起横方向結晶成長([T1602-3]マイクロナノ理工学:nmからmmまでの表面制御とその応用(3))
- ペンタセン多結晶薄膜における階層的結晶構造とキャリア輸送制限要因の関係(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶FETにおける電界誘起熱刺激電流と誘電特性との相関(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般)
- ホットプレス法によるフレキシブル有機トランジスタの作製(センサー,デバイス,一般)
- Ti電極上コバルトナノ粒子の位置選択性制御(シリコン関連材料の作製と評価)
- 疎水性相互作用によるフェリチンの吸着
- ホットプレス法によるフレキシブル有機トランジスタの作製
- ペンタセン中に電界効果ドーピングされたキャリアによるTHz波吸収(有機材料,作製・評価技術,一般)
- (BEDT-TTF)(TCNQ)結晶におけるインピーダンス測定(有機材料,作製・評価技術,一般)
- ペンタセン多結晶膜の結晶学的階層構造とキャリア輸送バンドに対する絶縁膜表面の影響(TFT(有機,酸化物),一般)
- バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 : 薄膜中の局所欠陥制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 : 薄膜中の局所欠陥制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
- グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討(有機材料・一般)
- 第73回応用物理学会学術講演会報告(9/11〜14)
- ポータープロテインによる金ナノ粒子配置プロセスとそのプラズモン特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- シリコン酸化膜中に埋め込んだバイオナノ粒子の抵抗変化メモリ効果(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- バイオテンプレートを用いたナノマテリアル作製と応用展開
- かご状タンパク質を利用した分子スケール接合制御によるCNT薄膜の熱電特性の向上(有機デバイス・酸化物デバイス・一般)
- FDTD法によるOFET型THzセンサの電磁界解析(有機デバイス・センサー,一般)
- ペンタセン多結晶膜の結晶学的階層構造とキャリア輸送バンドに対する絶縁膜表面の影響
- ペンタセン中に電界効果ドーピングされたキャリアによるTHZ波吸収
- (BEDT-TTF) (TCNQ)結晶におけるインピーダンス測定
- リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製
- バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 : 薄膜中の局所欠陥制御
- バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 : 薄膜中の局所欠陥制御
- バイオナノ粒子を用いたSi薄膜結晶化技術のMEMSへの応用
- グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討