グラフォエピタキシーにより面内配向制御されたペンタセンFETを利用したTHz波センサの検討(有機材料・一般)
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概要
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有機電界効果トランジスタ(OFET)の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において障壁高さとして0.5-10meV程度のランダムなバンド端ゆらぎが存在していることが確認されている。この値は、ちょうどTHzフォトンエネルギーに相当することから、OFETにおける蓄積キャリアがTHzフォトンからエネルギーを受けることができれば、OFETの出力電流がTHz波に応答して変化する新型のTHzセンサが得られる。本研究では、グラフォエピタキシーによって面内配向成長させたペンタセンを活性層とするOFETを作製し、粒界部キャリア輸送障壁の平均高さが面内配向成長によって低下することを確認した。さらに、THz波時間領域分光法(THz-TDS)により、OFET中の蓄積キャリアによるTHz変調吸収スペクトルの形状が配向制御の有無によって異なっていることを確認した。
- 2012-11-12
著者
-
中村 雅一
千葉大学 大学院工学研究科
-
李 世光
千葉大学大学院工学研究科:奈良先端科学技術大学大学院
-
中村 雅一
奈良先端科学技術大学大学院
-
松原 亮介
奈良先端科学技術大学大学院
-
中村 雅一
奈良先端物質
-
李 世光
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:千葉大学大学院工学研究科
-
上田 智也
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
吉岡 勇多
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
吉岡 勇多
奈良先端科学技術大学大学院
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