Si基板上に形成したBi_2SiO_5薄膜の特性(半導体Si及び関連電子材料評価)
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概要
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ビスマス層状構造強誘電体の形成におけるバッファ層として注目されるBi_2SiO_5薄膜をSi(100)基板上にRFマグネトロンスパッタリング法により堆積した。基板温度400℃において形成した薄膜は平坦な表面形態を持つc軸配向膜となる。MIS構造による容量測定から求めたBi_2SiO_5薄膜の比誘電率は約14、界面準位密度は6×10^<12>cm^<-2>・eV^<-1>程度である。また容量-電圧特性はヒステリシスのない良好な特性を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-09
著者
-
山口 正樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
増田 陽一郎
八戸工業大学
-
長友 隆男
芝浦工業大学工学部
-
増田 陽一郎
八戸工大 工
-
増田 陽一郎
八戸工業大学工学部知能システム工学科
-
平木 康嗣
芝浦工業大学 工学部 電気工学科
-
長友 隆男
芝浦工業大学 工学部:芝浦工業大学 先端工学研究機構
-
長友 隆男
芝浦工業大学
-
平木 康嗣
芝浦工業大学工学部電気工学科
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