プレーナマグネトロン型高周波スパッタによるa-Si : H膜の作製 : 赤外吸収と光電特性
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概要
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Amorphous Si : H films have been prepared by rf planar-magnetron sputtering. Deposition of amorphous Si : H films was attempted under various sputtering conditions as follows. Substrate temperature : 250 °C, rf input power : 25145 W, Ar/H<SUB>2</SUB> gas ratio : 60/40, gas pressure : 1×10<SUP>-3</SUP>1×10<SUP>-4</SUP> Torr (0.1313 Pa). A detailed study of these films has been carried out using infrared absorption, dc dark- and photo-conductivity, optical energy gap and activation energy measurements. These results indicate that the high-quality a-Si : H films included many Si-H bonds are prepared as the gas pressure is low and the rf input power is large.
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