MOD法によるBi_2SiO_5薄膜の低温作製と諸特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ビスマス層状構造強誘電体の形成におけるバッファ層として期待されるビスマスシリケート薄膜をシリコン基板上に有機金属分解(MOD)法により形成し, ビスマスシリケート/シリコン構造について検討を行った.堆積膜は低温焼成においてc軸に単一配向し, 平坦な表面モフォロジーを有する.また, 漏れ電流密度は10^<11>A/cm^2程度と低く, 良好な絶縁特性を示した.容量-電圧特性はヒステリシスを示さず, 比誘電率が24程度であることから, MFIS構造への応用が期待できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-14
著者
-
山口 正樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
増田 陽一郎
八戸工業大学
-
長友 隆男
芝浦工業大学工学部
-
増田 陽一郎
八戸工大 工
-
増田 陽一郎
八戸工業大学工学部知能システム工学科
-
長友 隆男
芝浦工業大学 工学部:芝浦工業大学 先端工学研究機構
-
長友 隆男
芝浦工業大学
関連論文
- 終端開放遮断円筒導波管反射法による液体の複素誘電率測定に関する基礎検討(マイクロ波,超伝導)
- 終端開放遮断円筒導波管反射法による液体の複素誘電率測定に関する基礎検討(マイクロ波,超伝導)
- 強誘電体インクの安定性改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- インクジェット法におけるパターン形状の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- インクジェット法によるビスマス系強誘電体薄膜の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果(新型不揮発性メモリ)
- 白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果
- BIT薄膜に及ぼす下部Pt電極の安定性(シリコン関連材料の作製と評価)
- チタン酸ビスマス薄膜の作製におけるシリコン添加効果(半導体Si及び関連材料・評価)
- Preparation of Bismuth Titanate Thin Films by Alternately Applying Metal-Organic Decomposition and Their Properties
- 原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 原料交互供給法によるチタン酸ビスマス薄膜の作成
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- Bi_4Ti_3O_12薄膜組成によるMFIS構造の特性
- Bi_4Ti_3O_/Bi_2SiO_5/Si構造に及ぼすBi組成の影響
- 分子分散型有機電界発光素子の白色発光
- Bi_2SiO_5薄膜物性に及ぼすBi組成の効果
- MOD法によるBi_2SiO_5薄膜の低温作製と諸特性
- 高温超伝導セラミックスYBa_2Cu_3O_の電気的および磁気的特性に及ぼす焼成温度の影響
- 直流反応性マグネトロンスパッタリング法で作製したSiO_x:OH/TiO_2多層薄膜の光励起親水化特性
- 4F104 広い視野角を有する二層型電界制御型複屈折性液晶表示素子
- 1L305 ラビング法を用いた液晶分子の傾斜垂直配向
- パルスレーザーデポジション法によるBaTi_(Hf_Zr)_O_3薄膜の作製と強誘電体特性
- 1E22 YAG レーザーアブレーション法による (Sr_xBa_)Nb_2O_6 薄膜の合成と強誘電性
- サファイア(012)面基板上c軸配向Ba_2NaNb_5O_薄膜の作製と諸性質
- ECRプラズマスパッタ法によるBa_2NaNb_5O_膜の作製と諸性質
- SCRを用いない高速繰り返しガラスレ-ザ-の開発
- シマ-モ-ドによる色素レ-ザの高安定化とラマン分光への応用
- 非線形光学材料としての酸化物強誘電体 (ペロブスカイト関連化合物 機能の宝庫) -- (材料応用)
- PZT薄膜の電気的特性に及ぼす界面構造の影響
- 分極疲労特性に及ぼすPt/PZT/Pt薄膜の界面効果
- 強誘電体薄膜と不揮発性メモリー--究極のメモリー実現を目指して (特集:次世代人工物質・材料の探査的研究)
- Nd^YAGレーザデポジション法によるBaTiO_3系薄膜の成膜とその強誘電特性
- YAGレーザアブレーション法による強誘電体薄膜の作製と焦電特性 (特集 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性)
- 7)幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
- 幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
- 幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
- 幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
- 反射式電界制御型複屈折性液晶表示素子
- 3G509 電界制御型複屈折性モードを用いた反射型液晶表示素子
- 3D125 広い視野角を有する光学補償型D-ECB液晶表示素子
- Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価
- Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価
- Si基板上に形成したBi_2SiO_5薄膜の特性(半導体Si及び関連電子材料評価)
- ECRスパッタ法による強誘電体薄膜(BIT,BNN)の合成とその物性 (特集 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性)
- 電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッター法で作製されたc軸配向 Ba_2NaNb_5O_膜の光学特性
- 強誘電体薄膜の合成とデバイス開発の現状 (特集 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性)
- 分割円筒空洞共振器によるPZT厚膜の複素誘電率測定における試料挿入部の影響に関する検討(マイクロ波一般,マイクロ波シミュレータ/一般)
- C-2-50 PZT厚膜装荷CPWの試作および諸検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 分割円筒空洞共振器法によるPZT厚膜の複素誘電率測定における横共振法および摂動法の適用(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- TE_分割円筒空洞共振器法によるPZT厚膜の複素誘電率測定法の基礎検討
- PZT薄膜装荷CPWのバイアス電圧印加特性に関する基礎検討(マイクロ波/一般)
- PZT薄膜装荷CPWのバイアス電圧印加特性に関する基礎検討(マイクロ波/一般)
- 社会構造にみる相転移現象
- 二次非線形光学材料 - 光第二高調波発生
- 5) Evaluation of the Tilted Homeotropic Alignment of Liquid-Crystal Molecules using the Rubbing Method (日韓情報ディスプレイ合同研究会情報ディスプレイ研究会)
- 1D24 PLD 法による BaTiO_3 系薄膜の合成と強誘電体特性
- YAGレーザーデポジションによるPZT薄膜合成過程におけるバルクターゲット-薄膜間の組成変動の評価
- 1D12 La-Sr-Co-O 系電極薄膜上の PZT 薄膜の強誘電特性
- 可視光照射によるポーラスSiの作製とその評価
- 分子分散型有機EL素子の高効率化
- シリコン基板上へのチタン酸ビスマス薄膜の形成と評価
- Bi_4Ti_3O_薄膜の低温形成とその膜特性
- 高c軸配向Bi_4Ti_3O_薄膜の作製と評価
- Bitter 法による溶融法で作製されたYBCOの磁束挙動の観察
- 12)ペリレンを発光材料に用いた有機EL素子の多色化(情報ディスプレイ研究会)
- ペリレンを発光材料に用いた有機EL素子の多色化 : 情報ディスプレイ
- ペリレンを発光材料に用いた有機EL素子の多色化
- スプレ-法によるSnO2/n-Siヘテロ接合の異常光電流〔英文〕
- 13-223 マレーシアにおけるツイニングによる工学教育(オーガナイズドセッション「工学教育の個性化・独自化」)
- 捕捉磁場に対するバルク体形状の効果
- 誘電性高分子-3-メチルチオフェンの電子状態とエレクトロクロミック素子
- 導電性高分子の電気的性質と2次電池・ショットキ-ダイオ-ドへの応用
- SnO2/SiOx/n-Si太陽電池の特性評価
- SnO2/n-SiおよびITO/p-Si太陽電池の寿命試験〔英文〕
- SnO2/n-Si太陽電池の試作
- 透明電極の作製方法とその応用〔英文〕
- スプレ-法による酸化インジウム膜の電気的・光学的性質
- スプレ-法によるSnO2/n.Si太陽電池の試作とその電気的光学的性質
- In2O3-n・Siホトダイオ-ドの光電効果-1-
- ジルコン酸鉛系磁器と導電性酸化錫薄膜の接合によるswitching現象
- Si-SnO2ヘテロ接合の電気的光学的性質
- 9a-B-12 SnO_2薄膜の導電機構における酸素の影響 [I]
- ECRプラズマスパッタリング法によるチタン酸ビスマス膜の作製と光学特性
- プレーナマグネトロン型高周波スパッタによるa-Si : H膜の作製 : 赤外吸収と光電特性
- 理工系の魅力向上WG活動報告
- ポリアセチレン(CH)x膜の性質と2次電池への応用
- ポリアセチレン二次電池の試作
- SnO2/SiOx/n-Si太陽電池の特性評価
- プレ-ナマグネトロン型高周波スパッタによるa-Si:H膜の作成--赤外吸収と光電特性
- 高周波スパッタリングによるアモルファスSi:H薄膜の作製と光電特性
- 高周波スパッタ法によるITO/p-Si太陽電池の作製--Si基板表面の損傷
- 分割円筒空洞共振器法によるPZT厚膜の複素誘電率測定における横共振法および摂動法の適用
- プロトンビームを用いた強誘電体微構造の作製(シリコン関連材料の作製と評価)