Bi_4Ti_3O_<12>薄膜の低温形成とその膜特性
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概要
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強誘電体不揮発性メモリ材料として注目されているBi_4Ti_3O_<12>薄膜を,高周波マグネトロンスパッタリンダ法により,バッファ層を用いて低温の500℃でSi(100)基板上に成膜した.バッファ層にはamorphousを用い,550℃でpyrochloreとした.薄膜堆積速度は11.4nm/minと速く,強いc軸配向を示した.堆積膜は良好な強誘電性を示し,抗電界および残留分極はそれぞれ2.3 kV/cmおよび2.4μC/cm^2であつた.
- 1996-12-06
著者
-
山口 正樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
長友 隆男
芝浦工業大学工学部
-
大本 修
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
長友 隆男
芝浦工業大学 工学部:芝浦工業大学 先端工学研究機構
-
長友 隆男
芝浦工業大学
-
大本 修
芝浦工業大学
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