シリコン基板上へのチタン酸ビスマス薄膜の形成と評価
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概要
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強誘電体薄膜のシリコンデバイスへの応用は、不揮発性メモリや超高集積メモリなどの実現の可能性から広く注目されている。c軸方向での比誘電率が小さいチタン酸ビスマスは、電界効果トランジスタ型不揮発性メモリ材料として優れていると考えられる。Si(100)基板上に高周波スパッタリング法により堆積した薄膜は強くc軸に配向する。基板温度の低下とともに結晶粒径は小さくなり、抵抗率および絶縁耐圧は増大する。微小粒からなる薄膜は良好な強誘電性を示す。
- 1997-12-12
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