Bi_4Ti_3O_12薄膜組成によるMFIS構造の特性
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概要
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シリコン基板上に有機金属分解(MOD)法によりビスマスシリケート(Bi_2SiO_5)薄膜を形成し,その上に作成したBi_4Ti_3O_12薄膜のBi添加量変化による特性変化について検討を行なった。堆積膜はBi添加量によらずc軸方向に単一配向した.Bi添加量が増加すると結晶成長が促進されるために表面凹凸は増大する傾向が認められた。また,漏れ電流密度はBi添加量によらず10^-9A/cm^2程度と低く,良好な絶縁特性を示した。しかし,Bi添加量の増大とともに,絶縁破壊電界は減少した。元素分布分析の結果から,これは薄膜/膨基板界面に存在するBiにより,薄膜の結晶性が低下することに起因すると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
-
山口 正樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
増田 陽一郎
八戸工業大学
-
長友 隆男
芝浦工業大学工学部
-
増田 陽一郎
八戸工大 工
-
増田 陽一郎
八戸工業大学工学部知能システム工学科
-
長友 隆男
芝浦工業大学 工学部:芝浦工業大学 先端工学研究機構
-
長友 隆男
芝浦工業大学
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