高周波スパッタリングによるアモルファスSi:H薄膜の作製と光電特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- Bi_4Ti_3O_12薄膜組成によるMFIS構造の特性
- Bi_4Ti_3O_/Bi_2SiO_5/Si構造に及ぼすBi組成の影響
- 分子分散型有機電界発光素子の白色発光
- Bi_2SiO_5薄膜物性に及ぼすBi組成の効果
- MOD法によるBi_2SiO_5薄膜の低温作製と諸特性
- 直流反応性マグネトロンスパッタリング法で作製したSiO_x:OH/TiO_2多層薄膜の光励起親水化特性
- Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価
- Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価
- Si基板上に形成したBi_2SiO_5薄膜の特性(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 可視光照射によるポーラスSiの作製とその評価
- 分子分散型有機EL素子の高効率化
- シリコン基板上へのチタン酸ビスマス薄膜の形成と評価
- Bi_4Ti_3O_薄膜の低温形成とその膜特性
- 高c軸配向Bi_4Ti_3O_薄膜の作製と評価
- Bitter 法による溶融法で作製されたYBCOの磁束挙動の観察
- ペリレンを発光材料に用いた有機EL素子の多色化 : 情報ディスプレイ
- ペリレンを発光材料に用いた有機EL素子の多色化
- 13-223 マレーシアにおけるツイニングによる工学教育(オーガナイズドセッション「工学教育の個性化・独自化」)
- 捕捉磁場に対するバルク体形状の効果
- 誘電性高分子-3-メチルチオフェンの電子状態とエレクトロクロミック素子
- 導電性高分子の電気的性質と2次電池・ショットキ-ダイオ-ドへの応用
- SnO2/SiOx/n-Si太陽電池の特性評価
- SnO2/n-SiおよびITO/p-Si太陽電池の寿命試験〔英文〕
- SnO2/n-Si太陽電池の試作
- 透明電極の作製方法とその応用〔英文〕
- スプレ-法による酸化インジウム膜の電気的・光学的性質
- スプレ-法によるSnO2/n.Si太陽電池の試作とその電気的光学的性質
- In2O3-n・Siホトダイオ-ドの光電効果-1-
- ジルコン酸鉛系磁器と導電性酸化錫薄膜の接合によるswitching現象
- Si-SnO2ヘテロ接合の電気的光学的性質
- 9a-B-12 SnO_2薄膜の導電機構における酸素の影響 [I]
- プレーナマグネトロン型高周波スパッタによるa-Si : H膜の作製 : 赤外吸収と光電特性
- 理工系の魅力向上WG活動報告
- ポリアセチレン(CH)x膜の性質と2次電池への応用
- ポリアセチレン二次電池の試作
- SnO2/SiOx/n-Si太陽電池の特性評価
- プレ-ナマグネトロン型高周波スパッタによるa-Si:H膜の作成--赤外吸収と光電特性
- 高周波スパッタリングによるアモルファスSi:H薄膜の作製と光電特性
- 高周波スパッタ法によるITO/p-Si太陽電池の作製--Si基板表面の損傷