高c軸配向Bi_4Ti_3O_<12>薄膜の作製と評価
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概要
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強誘電体不揮発性メモリ材料として注目されているBi_4Ti_3O_<12>薄膜を、直接Si(100)基板上にBi_2TiO_5焼結体ターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリング法により成膜した。この薄膜の堆積速度は1.1μm/hと比較的速く、c軸配向度は99%以上であった。堆積膜の誘電率は、膜厚の減少とともに低下する傾向が見られ、これは低い誘電率を持つ界面層を仮定することで説明できた。また、薄膜の屈折率分散の測定からこの低誘電率層は、薄膜の堆積前あるいは堆積中に形成されたSi酸化物層であることが分かった。
- 1995-12-07
著者
-
山口 正樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
長友 隆男
芝浦工業大学工学部
-
大本 修
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
長友 隆男
芝浦工業大学 工学部:芝浦工業大学 先端工学研究機構
-
長友 隆男
芝浦工業大学
-
大本 修
芝浦工業大学
-
川鍋 賢祐
芝浦工業大学工学部電子工学科
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