Bi_4Ti_3O_<12>/Bi_2SiO_5/Si構造に及ぼすBi組成の影響
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概要
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シリコン基板上に有機金属分解(MOD)法によりチタン酸ビスマス(Bi_4Ti_3O_<12>)/ビスマスシリケート(Bi_2SiO_5)構造を形成し, Bi添加量変化によるその特性変化について検討を行なった.Bi_4Ti_3O_<12>堆積膜はBi添加量によらずc軸方向に優勢配向し, Bi添加量の少ない状態において漏れ電流特性が10^<-9>A/cm^2程度と低く, 良好な絶縁特性を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-13
著者
-
山口 正樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
増田 陽一郎
八戸工業大学
-
長友 隆男
芝浦工業大学工学部
-
増田 陽一郎
八戸工大 工
-
増田 陽一郎
八戸工業大学工学部知能システム工学科
-
長友 隆男
芝浦工業大学 工学部:芝浦工業大学 先端工学研究機構
-
長友 隆男
芝浦工業大学
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