強誘電体インクの安定性改善(シリコン関連材料の作製と評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
任意のパターンを直接描画できる利点を持つインクジェットプリント法に注目し,自発分極や圧電効果など様々な性質を示す強誘電体薄膜の形成を目指しているが,これまでは,インクとして用いる溶液が空気中で凝固してしまうという安定性に欠ける点が問題となっていた.そこで,金属錯体の保護剤としてポリビニルピロリドン(PVP)を用いることにより溶液の安定性向上を図った.
- 2009-11-27
著者
関連論文
- 強誘電体インクの安定性改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- インクジェット法におけるパターン形状の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- インクジェット法によるビスマス系強誘電体薄膜の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果(新型不揮発性メモリ)
- 白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果
- BIT薄膜に及ぼす下部Pt電極の安定性(シリコン関連材料の作製と評価)
- チタン酸ビスマス薄膜の作製におけるシリコン添加効果(半導体Si及び関連材料・評価)
- Preparation of Bismuth Titanate Thin Films by Alternately Applying Metal-Organic Decomposition and Their Properties
- 原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 原料交互供給法によるチタン酸ビスマス薄膜の作成
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- Bi_4Ti_3O_12薄膜組成によるMFIS構造の特性
- Bi_4Ti_3O_/Bi_2SiO_5/Si構造に及ぼすBi組成の影響
- 分子分散型有機電界発光素子の白色発光
- Bi_2SiO_5薄膜物性に及ぼすBi組成の効果
- MOD法によるBi_2SiO_5薄膜の低温作製と諸特性
- Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価
- Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価
- Si基板上に形成したBi_2SiO_5薄膜の特性(半導体Si及び関連電子材料評価)
- 分子分散型有機EL素子の高効率化
- シリコン基板上へのチタン酸ビスマス薄膜の形成と評価
- Bi_4Ti_3O_薄膜の低温形成とその膜特性
- 高c軸配向Bi_4Ti_3O_薄膜の作製と評価
- プロトンビームを用いた強誘電体微構造の作製(シリコン関連材料の作製と評価)