アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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近年,次世代の薄膜形成手法のひとつであるプリンテッド・エレクトロニクス手法に応用できるアルコール系インクから,強誘電体薄膜の合成を行った.アルコールに可溶なトリターシャリーアミロキシビスマス,イソプロポキシチタンを原料とし,比較的低温の750℃においてチタン酸ビスマス単相膜を得た.この薄膜は強誘電特性を示し,自発分極および抗電界はそれぞれ2.6μC/cm^2および36kV/cmであった.また分極疲労耐性は10^8回以上を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-12-07
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