Bi_2SiO_5薄膜物性に及ぼすBi組成の効果
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概要
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シリコン基板上に有機金属分解(MOD)法によりビスマスシリケート(Bi_2SiO_5)薄膜を形成し,Bi添加量変化による特性変化について検討を行なった。堆積膜はBi添加量によらずc軸方向に優勢配向した。表面モフォロジーの評価より,Bi添加量の増加により結晶粒径の増大とともに平坦化する。漏れ電流密度は過剰Biの添加により10^6A/cm^2程度と低くなり,良好な絶縁特性を示した。容量-電圧特性はヒステリシスを示さず,比誘電率が30程度である。Biの過剰添加により界面低誘電率層厚が減少するため,MRS構造への応用が期待できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-05
著者
-
山口 正樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
増田 陽一郎
八戸工業大学
-
長友 隆男
芝浦工業大学工学部
-
増田 陽一郎
八戸工大 工
-
増田 陽一郎
八戸工業大学工学部知能システム工学科
-
長友 隆男
芝浦工業大学 工学部:芝浦工業大学 先端工学研究機構
-
長友 隆男
芝浦工業大学
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