チタン酸ビスマス薄膜の作製におけるシリコン添加効果(半導体Si及び関連材料・評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
シリコン基板上に有機金属分解(MOD)法によりシリコン(Si)添加チタン酸ビスマス(Bi_4Ti_3O_<12>)薄膜の形成を行い,その特性変化について検討を行った.Si無添加膜ではペロブスカイト単相模は得られなかった.ペロブスカイト型結晶のc軸配向膜を得るためには,Si元素を添加することが有効である.しかし,過剰添加により結晶性は劣化する傾向が認められた.堆積膜の絶縁特性は,過剰添加により絶縁耐圧が著しく低下した,これは薄膜構造の変化によるものと考えられる.また,過剰添加により強誘電特性が劣化することを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
関連論文
- 終端開放遮断円筒導波管反射法による液体の複素誘電率測定に関する基礎検討(マイクロ波,超伝導)
- 終端開放遮断円筒導波管反射法による液体の複素誘電率測定に関する基礎検討(マイクロ波,超伝導)
- 強誘電体インクの安定性改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- インクジェット法におけるパターン形状の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
- インクジェット法によるビスマス系強誘電体薄膜の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- 白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果(新型不揮発性メモリ)
- 白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果
- BIT薄膜に及ぼす下部Pt電極の安定性(シリコン関連材料の作製と評価)
- チタン酸ビスマス薄膜の作製におけるシリコン添加効果(半導体Si及び関連材料・評価)
- Preparation of Bismuth Titanate Thin Films by Alternately Applying Metal-Organic Decomposition and Their Properties
- 原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 原料交互供給法によるチタン酸ビスマス薄膜の作成
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- イリジウム錯体を用いた有機EL素子
- Bi_4Ti_3O_12薄膜組成によるMFIS構造の特性
- Bi_4Ti_3O_/Bi_2SiO_5/Si構造に及ぼすBi組成の影響
- 分子分散型有機電界発光素子の白色発光
- Bi_2SiO_5薄膜物性に及ぼすBi組成の効果
- MOD法によるBi_2SiO_5薄膜の低温作製と諸特性
- 高温超伝導セラミックスYBa_2Cu_3O_の電気的および磁気的特性に及ぼす焼成温度の影響
- 4F104 広い視野角を有する二層型電界制御型複屈折性液晶表示素子
- 1L305 ラビング法を用いた液晶分子の傾斜垂直配向
- パルスレーザーデポジション法によるBaTi_(Hf_Zr)_O_3薄膜の作製と強誘電体特性
- 1E22 YAG レーザーアブレーション法による (Sr_xBa_)Nb_2O_6 薄膜の合成と強誘電性
- サファイア(012)面基板上c軸配向Ba_2NaNb_5O_薄膜の作製と諸性質
- ECRプラズマスパッタ法によるBa_2NaNb_5O_膜の作製と諸性質
- SCRを用いない高速繰り返しガラスレ-ザ-の開発
- シマ-モ-ドによる色素レ-ザの高安定化とラマン分光への応用
- 非線形光学材料としての酸化物強誘電体 (ペロブスカイト関連化合物 機能の宝庫) -- (材料応用)
- PZT薄膜の電気的特性に及ぼす界面構造の影響
- 分極疲労特性に及ぼすPt/PZT/Pt薄膜の界面効果
- 強誘電体薄膜と不揮発性メモリー--究極のメモリー実現を目指して (特集:次世代人工物質・材料の探査的研究)
- Nd^YAGレーザデポジション法によるBaTiO_3系薄膜の成膜とその強誘電特性
- YAGレーザアブレーション法による強誘電体薄膜の作製と焦電特性 (特集 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性)
- 7)幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
- 幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
- 幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
- 幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
- 反射式電界制御型複屈折性液晶表示素子
- 3G509 電界制御型複屈折性モードを用いた反射型液晶表示素子
- 3D125 広い視野角を有する光学補償型D-ECB液晶表示素子
- Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価
- Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価
- Si基板上に形成したBi_2SiO_5薄膜の特性(半導体Si及び関連電子材料評価)
- ECRスパッタ法による強誘電体薄膜(BIT,BNN)の合成とその物性 (特集 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性)
- 電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッター法で作製されたc軸配向 Ba_2NaNb_5O_膜の光学特性
- 強誘電体薄膜の合成とデバイス開発の現状 (特集 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性)
- 分割円筒空洞共振器によるPZT厚膜の複素誘電率測定における試料挿入部の影響に関する検討(マイクロ波一般,マイクロ波シミュレータ/一般)
- C-2-50 PZT厚膜装荷CPWの試作および諸検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 分割円筒空洞共振器法によるPZT厚膜の複素誘電率測定における横共振法および摂動法の適用(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- TE_分割円筒空洞共振器法によるPZT厚膜の複素誘電率測定法の基礎検討
- PZT薄膜装荷CPWのバイアス電圧印加特性に関する基礎検討(マイクロ波/一般)
- PZT薄膜装荷CPWのバイアス電圧印加特性に関する基礎検討(マイクロ波/一般)
- 社会構造にみる相転移現象
- 二次非線形光学材料 - 光第二高調波発生
- 5) Evaluation of the Tilted Homeotropic Alignment of Liquid-Crystal Molecules using the Rubbing Method (日韓情報ディスプレイ合同研究会情報ディスプレイ研究会)
- 1D24 PLD 法による BaTiO_3 系薄膜の合成と強誘電体特性
- YAGレーザーデポジションによるPZT薄膜合成過程におけるバルクターゲット-薄膜間の組成変動の評価
- 1D12 La-Sr-Co-O 系電極薄膜上の PZT 薄膜の強誘電特性
- 分子分散型有機EL素子の高効率化
- シリコン基板上へのチタン酸ビスマス薄膜の形成と評価
- Bi_4Ti_3O_薄膜の低温形成とその膜特性
- 高c軸配向Bi_4Ti_3O_薄膜の作製と評価
- ECRプラズマスパッタリング法によるチタン酸ビスマス膜の作製と光学特性
- 分割円筒空洞共振器法によるPZT厚膜の複素誘電率測定における横共振法および摂動法の適用
- プロトンビームを用いた強誘電体微構造の作製(シリコン関連材料の作製と評価)