インクジェット法によるビスマス系強誘電体薄膜の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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インクジェット法による強誘電体薄膜の形成は, 微細パターンの直接描画に有効であると考えられる.テトライソプロポキシチタン, トリターシャリーアミロキシビスマス, 溶媒として2エトキシエタノール, ジェチレングリコールモノエチルエーテルを用いた塗布溶液により, チタン酸ビスマス薄膜を形成した.この薄膜は強酸化雰囲気中焼成により, 600℃という低温において結晶化し, 高温時には巨大板状結晶粒が成長した.また, インクジェット法によりシリコン基板上への直接パターン形成を試み, プリンタノズルからの液滴吐出制御が可能であることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
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