増田 陽一郎 | 八戸工大 工

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概要

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関連著者

• 増田 陽一郎

  八戸工大 工

• 増田 陽一郎

  八戸工業大学

• 山口 正樹

  芝浦工業大学工学部電子工学科

• 増田 陽一郎

  八戸工業大学工学部知能システム工学科

• 関 秀廣

  大学院工学研究科電気電子工学専攻・教授、青森県地域結集型共同研究事業(jst:独立行政法人科学技術振興機構)

• 関 秀廣

  八戸工業大学

• 長友 隆男

  芝浦工業大学工学部

• 長友 隆男

  芝浦工業大学 工学部:芝浦工業大学 先端工学研究機構

• 長友 隆男

  芝浦工業大学

• 増本 博

  東北大学金属材料研究所

• 掛本 博文

  東工大院理工

• 藤田 成隆

  八戸工業大学工学部

• 馬場 明

  八戸工業大学工学部電気工学科

• 藤田 成隆

  八戸工業大学工学部電子知能システム学科

• 平井 敏雄

  東北大学金属材料研究所

• 柿本 健一

  名古屋工業大学大学院物質工学専攻

• 藤田 成隆

  八戸工業大学工学部電気電子システム学科

• 関 秀廣

  八戸工業大学工学部電気電子工学科

• 山本 麻

  芝浦工業大学 工学部 電子工学科

• 掛本 博文

  Department Of Inorganic Materials Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology

• 掛本 博文

  八戸工業大学工学部電気電子工学科

• 柿本 健一

  八戸工業大学工学部電気電子工学科

• 増田 陽一郎

  八戸工大

• 平木 康嗣

  芝浦工業大学 工学部 電気工学科

• 平木 康嗣

  芝浦工業大学工学部電気工学科

• 藤田 成隆

  八戸工業大学

• 後藤 孝

  東北大学金属材料研究所

• 伊藤 康尚

  Jes Co. Ltd.

• 藤田 成隆

  八戸工大

• 渡津 章

  東北大学金属材料研究所

• 後藤 孝

  東北大金研

• 鶴見 敬章

  東工大理工

• 坂本 禎智

  八戸工業大学

• 平井 敏雄

  東北大金研

• 新富 孝和

  高エネルギー加速器研究機構

• 和田 智志

  東工大院理工

• 臼井 文彦

  東北大学金属材料研究所

• 新富 孝和

  高エネルギー物理学研究所

• 関 秀廣

  八戸工大大学院・工

• 横地 弓夫

  八戸工業大学

• 横地 弓夫

  電子知能システム学科・助教授

• 新富 孝和

  高エネルギー加速器研究機構低温工学センター

• 大場 友弘

  芝浦工大

• 佐藤 嘉國

  芝浦工業大学工学部二部電気工学科

• 戸賀津 晃

  八戸工業大学工学部電気工学科

• 馬場 誠

  八戸工業大学工学部電気工学科

• 増田 正美

  高エネルギー物理学研究所

• 関 秀廣

  八戸工大・工

• 柿本 健一

  八戸工大

• 掛本 博文

  八戸工大

• 馬場 明

  八戸工大

• 和達 章

  八戸工業大学

• 関 秀廣

  八戸工大工

• 増田 陽一郎

  八戸工大工

• 増田 陽一郎

  八戸工科大学工学部電気工学科

• 柿本 健一

  名工大

• 増本 博

  東北大金研

• Muralt Paul

  スイスローザンヌ工科大

• Hiboux Stephane

  スイスローザンヌ工科大

• Setter Nava

  スイスローザンヌ工科大

• 増田 陽一郎

  八戸工大電気

• 渡辺 和貴

  芝浦工業大学工学部電子工学科

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著作論文

• アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
• アルコール系溶液による強誘電体薄膜特性の焼成条件依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
• インクジェット法におけるパターン形状の改善(シリコン関連材料の作製と評価)
• インクジェット法によるビスマス系強誘電体薄膜の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
• 白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果(新型不揮発性メモリ)
• BIT薄膜に及ぼす下部Pt電極の安定性(シリコン関連材料の作製と評価)
• チタン酸ビスマス薄膜の作製におけるシリコン添加効果(半導体Si及び関連材料・評価)
• 原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
• 原料交互供給法によるチタン酸ビスマス薄膜の作成
• Bi_4Ti_3O_12薄膜組成によるMFIS構造の特性
• Bi_4Ti_3O_/Bi_2SiO_5/Si構造に及ぼすBi組成の影響
• Bi_2SiO_5薄膜物性に及ぼすBi組成の効果
• MOD法によるBi_2SiO_5薄膜の低温作製と諸特性
• 高温超伝導セラミックスYBa_2Cu_3O_の電気的および磁気的特性に及ぼす焼成温度の影響
• 4F104 広い視野角を有する二層型電界制御型複屈折性液晶表示素子
• 1L305 ラビング法を用いた液晶分子の傾斜垂直配向
• パルスレーザーデポジション法によるBaTi_(Hf_Zr)_O_3薄膜の作製と強誘電体特性
• 1E22 YAG レーザーアブレーション法による (Sr_xBa_)Nb_2O_6 薄膜の合成と強誘電性
• サファイア(012)面基板上c軸配向Ba_2NaNb_5O_薄膜の作製と諸性質
• ECRプラズマスパッタ法によるBa_2NaNb_5O_膜の作製と諸性質
• Nd^YAGレーザデポジション法によるBaTiO_3系薄膜の成膜とその強誘電特性
• YAGレーザアブレーション法による強誘電体薄膜の作製と焦電特性 (特集 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性)
• 7)幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
• 幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
• 幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
• 幾何学的形状異方性による液晶分子の配向効果
• 反射式電界制御型複屈折性液晶表示素子
• 3G509 電界制御型複屈折性モードを用いた反射型液晶表示素子
• 3D125 広い視野角を有する光学補償型D-ECB液晶表示素子
• Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価
• Bi_2SiO_5/Si構造の作成とその評価
• Si基板上に形成したBi_2SiO_5薄膜の特性(半導体Si及び関連電子材料評価)
• ECRスパッタ法による強誘電体薄膜(BIT,BNN)の合成とその物性 (特集 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性)
• 電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッター法で作製されたc軸配向 Ba_2NaNb_5O_膜の光学特性
• 1D24 PLD 法による BaTiO_3 系薄膜の合成と強誘電体特性
• YAGレーザーデポジションによるPZT薄膜合成過程におけるバルクターゲット-薄膜間の組成変動の評価
• 1D12 La-Sr-Co-O 系電極薄膜上の PZT 薄膜の強誘電特性
• プロトンビームを用いた強誘電体微構造の作製(シリコン関連材料の作製と評価)

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