白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果(新型不揮発性メモリ)
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概要
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強誘電体不揮発性メモリなど, 新たな半導体素子の開発が期待されている. 強誘電体不揮発性メモリ材料の一つであるチタン酸ビスマスは, 疲労耐性に優れる材料として注目されている. シリコン元素ならびに過剰ビスマスの添加により, 結晶化が促進されることが確認された. また, 表面モフォロジーなども改善される. しかし, 得られた薄膜の強誘電体特性は単結晶に比べて劣っている. これは, 格子歪みや結晶欠陥等が原因であると考える.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-04
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