BIT薄膜に及ぼす下部Pt電極の安定性(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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強誘電体薄膜は,次世代集積回路材料として期待されている.しかしその応用上,白金下部電極上への形成が必要となる.一般に白金薄膜はチタン密着層上,に形成されるが,チタン層厚が厚くなると白金薄膜表面ヘチタンが析出するため,4nm程度にする必要がある.また,白金薄膜は堆積温度により格子定数が変化し,堆積後の熱処理過程により基板からの引張り応力を受けてヒロックが形成される.このような白金基板の形状変化により,堆積される強誘電体薄膜の特性は影響を受ける.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-12-09
著者
-
山口 正樹
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
増田 陽一郎
八戸工業大学
-
山本 麻
芝浦工業大学 工学部 電子工学科
-
佐藤 嘉國
芝浦工業大学工学部二部電気工学科
-
増田 陽一郎
八戸工大 工
-
増田 陽一郎
八戸工業大学工学部知能システム工学科
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