902 超短パルスレーザーによるSiウエハ割断法の基礎研究(関東支部 茨城講演会)
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概要
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Silicon wafers are conventionally diced off by a thin diamond blade into individual IC chip, before they are packaged. The problems encountered in blade dicing include chipping, kerf-loss and low productivity. A new laser cleavage-cutting of silicon wafer is proposed in this research, based on the property that the monocrystal silicon is transparent to laser with near-infrared wavelength around 1.3μm. Aiming to high productivity and low chipping rate, this method intends to introduce the laser power to inside silicon substrate by focusing the beam below the topmost surface, and followed by cleavage. This paper reports fundamental results by use of with ultra-short pulsed laser.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2005-09-08
著者
-
江田 弘
茨城大工
-
周 立波
茨城大工
-
山本 武幸
茨城大工
-
江田 弘
茨城大
-
山本 武幸
茨城大学工学部
-
萩谷 淳史
茨城大院
-
尾嶌 裕隆
茨城大学工学部
-
尾嶌 裕隆
茨城大工
-
萩谷 淳史
茨城大工
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