413 Siウェハ研削表面の物性評価
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概要
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The characteristics of ground Si surfaces have been investigated by TPPE (Temperature Programmed Photoelectron Emission) in order to analyze the mechanism of machining single crystalline silicon. Si-wafers of φ300 mm were ground and processed using a super-machining machine. Four types of Si surfaces were prepared as follows: polished (as-received), ground, and processed by CMG (Chemical Mechanical Grinding) method at two pH values. The TPPE characteristics were found to depend strongly on the surface processing methods.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2001-09-20
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