309 Siウエハのナノ引っかきによるナノ構造創成の検討(精密/微細加工と評価)
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概要
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This study aims to clarify the possibility to achieve the line patterns generation on a silicon wafer surface at nm order by means of nano-scratching. This paper reports on the results obtained through several nano-scratching experiments by two types of diamond probes with radiuses of 50 nm and 120 nm by using an atomic force microscope (AFM). After several nano-scratching experiments, the shapes transcriptions were examined. As a result, the formation of scratch grooves with less than 100nm deep and several hundreds nm wide can be generated by present diamond probes. And, it was also confirmed that the importance to sharpen the probe tip to obtain smaller scratching grooves.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2007-09-28
著者
-
大谷 健太郎
茨城大工
-
周 立波
茨城大学工学部
-
清水 淳
茨城大学工学部
-
江田 弘
茨城大工
-
江田 弘
茨城大学工学部
-
清水 淳
茨城大工
-
周 立波
茨城大工
-
津村 貴史
茨城大学大学院
-
江田 弘
茨城大
-
津村 貴史
茨城大院
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