反射μ波光導電減衰法での外部電解による表面再結合の制御
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
透明電極、スペーサー、SiウェハでMIS構造をつくり、電圧を正、負、それぞれ2kVまで印加した。レーザは電極を透過してウェハに照射され、その過剰キャリアの減衰を反射μ波光導電減衰法(μ-PCD)により測定した。結果、熱酸化膜のないウェハでは-2kVを電極に印加することでキャリアライフタイムは約3倍に増加した。これは外部電解により表面再結合速度が制御された結果と考えられる。熱酸化したウェハは異なる電圧依存性を示した。これは、表面の電荷と、表面準位を考えることで説明できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-10
著者
-
加藤 直樹
株式会社 日立製作所 中央研究所
-
荒井 英輔
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
平野 昌志
名古屋工業大学電気情報工学科
-
高松 弘行
神戸製鋼所 電子技研
-
加藤 直樹
名古屋工業大学電気情報工学科
-
市村 正也
共同研究センター
-
高松 弘行
(株)神戸製鋼所
-
住江 伸吾
(株)神戸製鋼所
-
加藤 直樹
日立 中研
-
住江 伸吾
名古屋工業大学電気情報工学科
-
住江 伸吾
神戸製鋼所 プロセス技研
-
荒井 英輔
名古屋工業大学
関連論文
- SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
- ED2000-117 / SDM2000-99 / ICD2000-53 閾値切り替え技術を用いた450MHz64ビットRISCプロセッサ
- サブ100nm時代の高速CMOS回路技術 : その課題と解決策
- SOIとバルクにおけるPとBの拡散プロファイルの比較検討(半導体Si及び関連電子材料評価)
- ED2000-117 / SDM2000-99 / ICD2000-53 閾値切り替え技術を用いた450MHz64ビットRISCプロセッサ
- ED2000-117 / SDM2000-99 / ICD2000-53 閾値切り替え技術を用いた450MHz64ビットRISCプロセッサ
- 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
- 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
- 光化学堆積法を用いたZnS薄膜の作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- パルス電圧を用いた電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とその評価(III族窒化物研究の最前線)
- 技術資料 半導体プロセスにおける重金属汚染の検出--キャリアライフタイム測定装置 (特集:薄膜技術)
- 反射μ波光導電減衰法での外部電解による表面再結合の制御
- 光熱変位計測による材料評価
- 差動マイクロPCD法によるエピウェーハの高感度ライフタイム測定
- 差動マイクロPCD法によるエピウェーハの高感度ライフタイム測定
- 光熱変位レーザ干渉計によるシリコンのダメージ評価
- 粗面試料に対するレーザ超音波の適用
- レーザ超音波による非破壊材質計測(材質評価)(鉄鋼業における最近のセンサ技術)
- レ-ザによる高精度振動計測システムの開発
- SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
- SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
- SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
- SOI基板中での不純物分布測定と拡散シミュレーション
- 高集積SoC向け遅延列交互利用型サイクリックSMD
- 高集積SoC向け遅延列交互利用型サイクリックSMD(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 高集積SoC向け遅延列交互利用型サイクリックSMD
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ICPエッチングを施したGaNのμ-PCD法による過剰キャリアライフタイム測定(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
- 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
- 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウエハの界面再結合速度測定(III族窒化物研究の最前線)
- C-12-19 CMOS型スイッチトカレントメモリセルに基づく低消費電力サンプルホールド回路(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 化学溶液処理を施したSiウェハ表面の電界印加μ-PCD法による表面状態の評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
- SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ウェハのエッジ・ノッチ形状の測定装置
- 光プローブを用いた酸化膜電荷の解析--交流表面光電圧/マイクロ波光伝導減衰装置の立ち上げと金属誘起酸化膜電荷密度の解析
- ホールフィリング : セレクタ論理を使った新しい遅延時間削減方法
- サブ100nm時代の高速CMOS回路技術 : その課題と解決策
- 貼り合わせSOI中の過剰キャリアライフタイムの温度依存性
- NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
- NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
- NMOSFETの短チャネル効果抑制を目的とした構造のシミュレーションによる評価
- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
- HMDSを使い成長させたSi基板上3C-SiCの深い準位の測定
- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
- 3C-SiCの容量DLTS測定による電子トラップの捕獲断面積とエネルギー準位の評価
- 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
- 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
- 非クリーン環境下におけるTEGを用いたMOSプロセスの検討
- 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
- 光化学堆積法によるセレン化物半導体の作製
- 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- 水素プラズマ処理をした3C-SiCの深い準位の測定
- Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
- Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
- Si基板上に成長させた3C-SiCの容量DLTS法による評価 : 室温以上の温度域であらわれる欠陥
- SIMOXとUNIBOND構造に対するボロンの極浅拡散
- MOSトランジスタの制限因子と微細化極限の検討
- ΔΣ変調を用いたパルスニューロンモデルに基づく音源定位用LSIの設計
- C-12-30 ΔΣ変調を用いたパルスニューロンモデルに基づく音源定位用 LSI の設計
- KOH水溶液を用いた電気化学的手法による6H-Sicの微細加工の試み
- KOH 水溶液を用いた電気化学的手法による 6H-SiC の微細加工の試み
- 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価
- 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価
- 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
- 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
- 電気化学堆積法によるSnS薄膜の堆積
- C-12-32 パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
- パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
- パルスニューロンモデルに基づく音源定位LSIの設計
- C-12-2 パルスニューロンモデルに基づく音源定位システム
- C-12-1 音源定位用LSIのための音圧差と時間差抽出回路の設計
- リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
- リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
- リンとボロンの拡散シミュレーションにおけるパラメータの最適化
- SOIウェーハ貼り合わせ界面付近のキャリア分布に及ぼすアニールの影響
- C-12-15 広い電圧余裕を持つ低電圧スイッチトカレントΔΣ変調器(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- 電気化学的堆積法により作製したCdS薄膜への熱処理雰囲気による影響
- 光化学堆積法によるZnSの堆積
- 光化学堆積法によるZnSの堆積
- 光化学堆積法によるZnSの堆積
- 光化学堆積法による硫化物半導体の作製と評価
- 光化学堆積法による硫化物半導体の作製と評価
- パルスニューロンモデルに基づく音源定位システムと低消費電力ニューロン回路の設計(電子回路)
- Siウェーハのライフタイムの温度依存性
- 光化学堆積CdS薄膜の結晶構造と光学的特性
- SOI基板へのリンとボロンの拡散シミュレーション
- 表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法
- SOI基板へのリンとボロンの拡散シミュレーション
- SOI基板へのリンとボロンの拡散シミュレーション