SOI基板へのリンとボロンの拡散シミュレーション
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概要
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SOI基板での不純物の拡散シミュレーションを行った。対拡散モデルによるシミュレーション結果が報告されている実験事実と一致することを確認した。次にシミュレーション条件を温度、拡散時間、雰囲気について変化させ、それらの条件での結果を予想した。SOI基板における拡散抑制は、拡散温度が低く拡散フロントが酸化膜界面に近いほど顕著である。窒素雰囲気におけるドライブイン拡散では、SOI基板とバルク基板との間では有意差が見られない。酸素雰囲気でのドライブイン拡散では、SOI基板で大きな拡散抑制が見られる。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-27
著者
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