差動マイクロPCD法によるエピウェーハの高感度ライフタイム測定

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 差動マイクロ PCD(Photo-Conductive-Decay)法による新しいライフタイム測定装置を開発し、低抵抗率サブストレートのエピウェーハの汚染評価を行った。その結果、測定したライフタイムとエピ層のモリプデン濃度には良好な相関関係があることかわかった。また、エピ層の1O^<11>/cm^3以下の鉄濃度を検出できることを確認した。さらに、熱酸化したエピウェーハのライフタイムマッピングにより、エピ層の汚染が明瞭に検出できた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-05-23

著者

• 高松 弘行

  株式会社神戸製鋼所

• 高松 弘行

  神戸製鋼所 電子技研

• 吉田 尚幸

  (株)神戸製鋼所 電子情報研究所

• 橋爪 英久

  ジェネシス・テクノロジー株式会社 レオ事業本部

• 尾嶋 太

  ジェネシス・テクノロジー株式会社 レオ事業本部

• 射場 邦夫

  ジェネシス・テクノロジー株式会社 レオ事業本部

• 吉田 尚幸

  株式会社神戸製鋼所 技術開発本部 プロセス技術研究所

• 住江 伸吾

  株式会社神戸製鋼所 技術開発本部 プロセス技術研究所

• 橋爪 英久

  名古屋工業大学電気情報工学科

関連論文

• 周期加熱サーモリフレクタンス法によるCu-Pt合金薄膜の熱伝導率測定
• 技術資料 半導体プロセスにおける重金属汚染の検出--キャリアライフタイム測定装置 (特集:薄膜技術)
• 反射μ波光導電減衰法での外部電解による表面再結合の制御
• 光熱変位計測による材料評価
• 差動マイクロPCD法によるエピウェーハの高感度ライフタイム測定
• 差動マイクロPCD法によるエピウェーハの高感度ライフタイム測定
• 光熱変位レーザ干渉計によるシリコンのダメージ評価
• 粗面試料に対するレーザ超音波の適用
• レーザ超音波による非破壊材質計測(材質評価)(鉄鋼業における最近のセンサ技術)
• レ-ザによる高精度振動計測システムの開発
• 化学溶液処理を施したSiウェハ表面の電界印加μ-PCD法による表面状態の評価(半導体Si及び関連電子材料評価)
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ウェハのエッジ・ノッチ形状の測定装置
• 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
• 顕微サーモリフレクタンス法によるはんだ接合界面金属間化合物層の熱伝導率測定

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク