4.高誘電率(High-k)材料のドライエッチング(<小特集>ドライエッチングの科学と技術の新局面)
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概要
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半導体集積回路デバイス(LSI)の高集積化・高速化に伴い,微細トランジスタのゲート容量を確保する一方ゲートリーク電流を抑制するためゲート絶縁膜に適用される高誘電率(high-k)材料のプラズマエッチング技術の現状と課題について,その基礎となるエッチング反応機構に関する今日の理解とともに概説する.また,関連するメタル電極材料のエッチングにも言及する.High-k膜(HfO_2などの遷移金属酸化物)の多くは,金属・ハロゲン化合物の揮発性が低く,さらに金属・酸素間結合が強いため,いわゆる難エッチング材料である.BCl_3プラズマを用いるHfO_2エッチングでは,圧力・混合ガス(O_2,Cl_2など),あるいは基板バイアス電圧(入射イオンエネルギー)により,基板表面でのエッチング反応,およびエッチング反応と保護膜堆積の競合を制御して,high-k膜の異方的な高選択(対下地Si)加工が得られる.
- 2009-04-25
著者
-
高橋 和生
京都工芸繊維大
-
斧 高一
京都大学大学院工学研究科
-
高橋 和生
京都大学大学院工学研究科
-
江利口 浩二
京都大学大学院工学研究科
-
斧 高一
京大 大学院工学研究科
-
斧 高一
京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻
-
ONO Katsuji
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Ono K
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
-
Ono K
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation:(present Address)department Of Ae
-
Ono K
Univ. California Ca Usa
-
江利口 浩二
京大
-
Ono K
The Faculty Of Engineering Ehime University
-
斧 高一
京都大学大学院 工学研究科
-
高橋 和生
京都大学大学院 工学研究科
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