古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 : Fin型MOSFETでの欠陥生成機構(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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古典的分子動力学(MD)シミュレーションを用いて,Fin構造を有するFin型MOSFETにおけるプラズマ誘起イオン衝撃ダメージについて詳細に検討した.Fin型MOSFETにおいては,従来のPlanar型MOSFETで見られるようなSi基板へのダメージ形成機構(siリセス)とは異なり,入射イオンの基板内での散乱機構(Straggling)が重要な役割を担うことがわかった.この統計的なダメージ形成過程は,いわゆるRangeTheoryをもとにモデル化でき,散乱機構(Straggling)によるダメージ層厚さはイオン種及びイオン入射エネルギーにより決定されることがMDシミュレーションからも確認できた.本報告では,Fin構造形成プロセスにおけるダメージを中心に,MDシミュレーションによるプラズマダメージ解析について議論する.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-10
著者
-
斧 高一
京都大学
-
Ono K
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
-
江利口 浩二
京都大学
-
松田 朝彦
京都大学
-
鷹尾 祥典
京都大学
-
中久保 義則
京都大学
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