電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)

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概要

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• プラズマプロセス中に形成される物理的Si基板ダメージを電流電圧特性及び電気容量特性により評価した。大気暴露による表面酸化層/ダメージ層/Si基板の擬似的Mos構造における電気容量特性変動に基づいた欠陥密度定量化手法を提案する。本手法を用いて、Arプラズマ処理によるSi基板中の欠陥密度とプラズマ処理条件との関係、及びAr系へのO_2添加の影響について考察した結果を報告する。またArプラズマとHeプラズマとのダメージ層構造の違いについても議論する。本解析手法はプラズマプロセス開発におけるダメージ評価手法として有効であると考えられる。

• 2011-10-13

著者

• 斧 高一

  京都大学大学院工学研究科

• 江利口 浩二

  京都大学大学院工学研究科

• ONO Katsuji

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• Ono K

  Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo

• Ono K

  Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation:(present Address)department Of Ae

• Ono K

  Univ. California Ca Usa

• 江利口 浩二

  京大

• Ono K

  The Faculty Of Engineering Ehime University

• 松田 朝彦

  京都大学

• 中久保 義則

  京都大学大学院工学研究科

• 松田 朝彦

  京都大学大学院工学研究科

• 鷹尾 祥典

  京都大学大学院工学研究科

• 鷹尾 祥典

  京都大学

• 中久保 義則

  京都大学

• 斧 高一

  京都大学大学院 工学研究科

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