中久保 義則 | 京都大学
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概要
関連著者
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Ono K
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
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鷹尾 祥典
京都大学
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中久保 義則
京都大学
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斧 高一
京都大学
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江利口 浩二
京都大学
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松田 朝彦
京都大学
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斧 高一
京都大学大学院工学研究科
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ONO Katsuji
Fujitsu Laboratories Ltd.
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Ono K
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation:(present Address)department Of Ae
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Ono K
Univ. California Ca Usa
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江利口 浩二
京大
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Ono K
The Faculty Of Engineering Ehime University
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中久保 義則
京都大学大学院工学研究科
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鷹尾 祥典
京都大学大学院工学研究科
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江利口 浩二
京都大学大学院工学研究科
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松田 朝彦
京都大学大学院工学研究科
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斧 高一
京都大学大学院 工学研究科
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亀井 政幸
京都大学
著作論文
- 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル(プロセス科学と新プロセス技術)
- 古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 : Fin型MOSFETでの欠陥生成機構(プロセス科学と新プロセス技術)
- プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響(プロセス科学と新プロセス技術)