物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが,デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した.イオンの入射エネルギー(E_<ion>),シリコン基板表面に形成されるダメージ層構造,ダメージ層除去に伴うシリコンロス,シリコンロスに伴うデバイス特性変動(ΔV_<th>),の定量的相関を示すプラズマダメージモデルを報告する.さらに,本モデルに基づいたデバイス特性バラツキを予測するためのモデルを示すとともに,典型的な例に対しての計算結果を議論する.プラズマダメージによるデバイス特性バラツキは,将来のデバイス設計では無視できない要素になると予測される.
- 2011-10-13
著者
-
斧 高一
京都大学大学院工学研究科
-
斧 高一
京都大学
-
ONO Katsuji
Fujitsu Laboratories Ltd.
-
Ono K
Department Of Applied Chemistry The University Of Tokyo
-
Ono K
Advanced Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation:(present Address)department Of Ae
-
Ono K
Univ. California Ca Usa
-
江利口 浩二
京大
-
Ono K
The Faculty Of Engineering Ehime University
-
江利口 浩二
京都大学
-
松田 朝彦
京都大学
-
中久保 義則
京都大学大学院工学研究科
-
鷹尾 祥典
京都大学大学院工学研究科
-
鷹尾 祥典
京都大学
-
中久保 義則
京都大学
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