セラミストのためのパソコン講座 第2回セラミストはパソコンをどのように使っているのか
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
超音波噴霧ICPフラッシュ蒸着法による異種組成ジルコニア薄膜の積層化
-
Pb(Fe_Nb_)O_3(PFN)及びPb(Sc_Ta)O_3(PST)における秩序-無秩序転移に及ぼすAサイト置換効果
-
6-103 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第3報) : 競争力の構築ヘ((13)体系的教育課程の構成-I)
-
6-103 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第3報) : 競争力の構築ヘ((13)体系的教育課程の構成-I)
-
Y_2O_3-Ta_2O_5混合ドープZrO_2ゲート絶縁膜界面の高分解能観察
-
溶液気化化学気相堆積法(LSMCVD)によるPbTiO_3薄膜の作製
-
高分解能分析電子顕微鏡による二酸化セリウム/イットリア安定化ジルコニア/シリコンヘテロ界面構造の原子スケール構造評価(原子をみる)
-
バッファーレイヤの導入によるセラミックス機能性薄膜の実現 (特集/最近のセラミックス薄膜)
-
YSZシード層によるSi(001)基板上へのCeO_2薄膜のエピタキシャル成長
-
基板サイズが(Bi, La)_4Ti_3O_薄膜の結晶方位と電気特性に及ぼす影響
-
バッファーレイヤーのセラミック薄膜への適用
-
機能性薄膜におけるバッファーレイヤの役割 (特集 セラミックスインテグレーション)
-
3L19 π種々の希土類元素を添加したジルコニアゲート絶縁膜の界面構造の高分解能 TEM 観察
-
3L05 MOCVD 法による Nb 添加 SrTiO_3 多結晶薄膜の作成とその半導性
-
3J09 Ni-Zn フェライト薄膜を成膜した FET 型トランジスタのメモリ動作への実現
-
3J08 強磁性体 /FET トランジスタ構造の試作とメモリーデバイスとしての可能性
-
3J07 強磁性体ゲート薄膜を有する MOS トランジスタの I-V 特性
-
3J02 バッファー層の最適化による高角形比 (Mr/Ms) エピタキシャル (Ni, Zn)Fe_2O_4 薄膜の作製
-
3D04 セラミックス薄膜の高温格子変化における基板及びバッファー層の影響
-
2L04 Si 基板上における Pb(Mg_, Nb_)O_3 薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性
-
(197)進化する創造性教育(第3報) : 東京工業大学における創造性育成科目の発展と現状(セッション56 創成教育IX)
-
1-329 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第11報) : 博士研究者データベース(2006年度)(口頭発表論文,(15)工学教育システムの個性化・活性化-II)
-
(334)工学教育プログラム基準強化活動(第3報) : 国際競争力ある人材に求められる資質とその育成(セッション97 工学教育の個性化・活性化IX・国際化時代における工学教育V)
-
S0405-1-4 収差補正電子顕微鏡によるセラミック薄膜の界面構造解析(セラミックス/セラミックス基礎合材料I)
-
PLD法により作製したNi-Znフェライト薄膜の磁気特性に及ぼす組成,結晶性の影響(セラミックスインテグレーション)
-
電子セラミックスの最先端研究動向と将来展望
-
第17回サーバー基礎編 Macによるサーバー構築編
-
ワシントン大学材料工学科
-
ICPフラッシュ蒸着法によるBaTiO_3薄膜の合成
-
収差補正TEMによるZrO_2超薄膜における構造遷移層の解明
-
Er_2O_3-ZrO_2 系固溶体の焼結
-
酸窒化チタンの焼結
-
研削砥石の製造に関する研究 : アルミナ質研削砥石
-
(196)進化する創造性教育(第2報) : 東京工業大学における教育課程中での位置づけ(セッション56 創成教育IX)
-
(195)進化する創造性教育(第1報) : 東京工業大学における推進システム(セッション56 創成教育IX)
-
2L03 パルス MOCVD 法で原料供給方法を変化させた PZT 薄膜の微構造の高品質化
-
La添加SrTiO_3の粒成長に与えるTi/Sr比の影響
-
PLD法によるSiO_2/Si(001)基板上エピタキシャルYSZ薄膜の室温合成(セラミックスインテグレーション)
-
Si(001)基板上へ成膜したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜の初期のエピタキシャル成長過程へのSiO_2層厚さの影響
-
噴霧熱分解法による球状Pd単結晶粒子の合成プロセスにおける粒子内部構造の発達過程
-
半導性エピタキシャルBaTiO_3薄膜の合成とその電気的性質
-
MOCVD法で(100)MgO基板上に合成したエピタキシャル成長PbTiO_3およびPZT皮膜内の残留ひずみ
-
水熱法により結晶化した単分散酸化チタン微粒子の形成性及び焼結性
-
CVD法によるエピタキシャル成長PZT薄膜の析出条件
-
(100)Pt/(100)MgO基板上へのPzT薄膜の合成とその性質
-
高速でエピタキシャル成長させたCVD Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の特徴
-
CVD法で合成した窒化鉄-窒化チタン薄膜の微構造
-
Bi_2O_3を拡散したBaTiO_3BLコンデンサの粒界構造
-
単分散 Al_2O_3 微粒子の合成
-
接合試料におけるAlN焼結体粒界相の移動現象
-
還元雰囲気中熱処理によるAlN焼結体の粒界面の移動現象
-
La_2CuO_4焼結体の電気的性質の組成依存性(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
-
YBa_2Cu_3O_x超伝導体の微構造が臨界電流密度に及ぼす影響(超伝導セラミックス)(導電性セラミックス)
-
3PbO・Fe_2O_3・WO_3の反応過程における液相生成
-
酸窒化ジルコニウムの合成と熱的挙動
-
YBa_2Cu_3O_xの相安定性と分解挙動
-
エピタキシャルチタン酸鉛薄膜の誘電特性に及ぼす外的応力印加により生じる残留応力の影響
-
UCEE研究者データベースのコンセプト
-
7-335 コアリッションによる工学教育の相乗的改革(第7報) : 博士研究者データベース((15)工学教育システムの個性化・活性化-V)
-
結晶構造の観点から見たPbMg_Nb_O_3のパイロクロア型化合物への熱分解挙動
-
セラミストのためのパソコン講座 第27回パソコンによる装置制御 : interfaceの製作とパソコン制御の実際(後編)
-
セラミストのためのパソコン講座 第26回パソコンによる装置制御 : interfaceの製作とパソコン制御の実際(前編)
-
セラミストのためのパソコン講座 第2回セラミストはパソコンをどのように使っているのか
-
超微粒子窒化アルミニウム粉末の焼結
-
MOCVD法により合成したバリスター特性を有するNb,Bi同時添加SrTiO_3薄膜の成長挙動(セラミックスインテグレーション)
-
La添加SrTiO_3セラミックスの粒成長挙動に及ぼす液相の濡れ性の影響
-
減圧熱プラズマ成膜法によるチタン酸鉛PbTiO_3薄膜の合成に及ぼす成膜圧力の影響
-
半導性SrTiO_3単結晶接合界面の微構造と酸化還元処理によるI-V特性の変化
-
噴霧熱分解法によるSiO_2被覆Pd粒子の合成と粒子構造の形成機構
-
超音波噴霧熱分解法による球状Pd金属粉末の合成に及ぼす出発原料の影響
-
ICP フラッシュ蒸着法による Ni-Zn フェライト薄膜の合成
-
BaTiO_3-Pb(Mg_Nb_)O_3系誘電体の合成と誘電的性質
-
La_2Cu_Zn_xO_の高温電気伝導
-
一粒界の PTC 効果の直接測定(セラミック・レターズ)
-
3 mol%Y_2O_3-ZrO_2の強弾性ドメインスイッチングに及ぼす相分離の影響
-
セリア部分安定化ジルコニアの強弾性ドメインスイッチングの臨界応力に及ぼす軸比の影響
-
ジルコニアの強弾性ドメインスイッチングに及ぼす希土類イオン半径の影響
-
正方晶ジルコニア擬単結晶の強弾性ドメインスイッチングと酸素欠陥の関係
-
ジルコニア結晶の強弾性ドメインスイッチングに及ぼす応力,温度の影響
-
電気化学的還元したY-PSZ結晶の酸素欠損領域の生成機構
-
シード層の導入によるPZT,PT薄膜の結晶性/配向性の制御(セラミックスインテグレーション)
-
YSZ/SiO_x/(001)Si薄膜のエピタキシャル成長における極薄SiO_x層の役割(セラミックスインテグレーション)
-
PZT薄膜の90°ドメイン構造のTEM観察と強誘電特性
-
ZnOバリスタの一粒界のI-V特性
-
Pr系ZnOバリスターの粒成長と粒界相の生成に及ぼす焼成温度と雰囲気の影響
-
さまざまな下部電極を導入したPZT薄膜の残留応力と誘電特性の変化(セラミックスインテグレーション)
-
パルスレーザー蒸着法によるSr_Ba_Nb_2O_6薄膜の成膜ガス雰囲気と膜厚が配向性と表面形状に及ぼす影響(セラミックスインテグレーション)
-
SrTiO_3シードバッファー層の導入によるPb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜の結晶成長(セラミックスインテグレーション)
-
低酸素圧下で合成したエピタキシャルLa__Sr__CoO_3(LSCO)薄膜の電気特性(セラミックスインテグレーション)
-
タングステンブロンズ型(1-X)Ba_Y_Nb_<10>O_-X Ba_Sm_Nb_O_固溶体の結晶構造と強誘電特性
-
化学溶液法による(Bi、La)_4Ti_3O_/Pb(Zr,Ti)O_3複合薄膜の電気的特性の比較(セラミックスインテグレーション)
-
Pb(Mg_Nb_)O_3/BaTiO_3/Pt/Ti/SiO_2/Si多層薄膜の構造,誘電特性に対する残留応力の影響(セラミックスインテグレーション)
-
MOCVD法によるPbTiO_3薄膜の成長様式と成膜速度が配向性に及ぼす影響
-
Stober型単分散粒子の核生成と成長
-
Pr添加ZnO焼結体における成分揮発と微構造の関係
-
なぜダイヤやAINは電気絶縁体なのによく熱を伝えるのか?
-
電気化学的還元した Y-, Ca-PSZ 結晶の相転移と酸素欠損
-
直流通電しながら熱処理したイットリア部分安定化ジルコニア結晶の微構造及び相変化
-
Pb-Mg-Nb-O系におけるパイロクロア型化合物の組成範囲
-
水熱結晶化した単分散酸化チタン微粒子の結晶化挙動とその徴構造
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク