三次元チップ積層のための電解めっきと蒸着法を用いた高密度Cu/Snマイクロバンプ形成技術(<特集>電子デバイスの高速・高密度実装とインテグレーション技術論文)
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概要
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三次元集積回路の高速信号処理を実現する高密度Cu/Snマイクロバンプ形成技術を開発した.本論文では電界めっき法によりCuバンプを形成し,その上に蒸着法によりSnバンプを成膜するEEB(Electroplating and Evaporation Bumping)技術を基盤としている.また,Cuシード層を除去するためにArスパッタエッチング法を採用している.両者の技術を組み合わせることにより,5μm角10μmピッチの高密度Cu/Snマイクロバンプの形成に成功した.EEB技術及び従来のめっき法のみで作製したCu/Snマイクロバンプの高さばらつきはそれぞれ±0.36μm(3σ),±0.48μm(3σ)であり,バンプの高さ均一性に優れていた.また,EEB技術により作製した5μm角Cu/Snマイクロバンプの抵抗値は22.6mΩ/bumpを示し,従来のめっき法のみで形成したCu/Snマイクロバンプと比較して低い値を示した.
- 2011-11-01
著者
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
-
小柳 光正
東北大学工学部機械知能工学科
-
田中 徹
東北大学医工学研究科
-
小柳 光正
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
福島 誉史
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
李 康旭
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
大原 悠希
東北大学大学院工学研究科
-
田中 徹
東北大学大学院工学研究科:東北大学大学院医工学研究科
-
小柳 光正
東北大学未来科学技術研究センター
-
Kobayashi M
Department Of Bioengineering And Robotics Tohoku University
-
福島 誉史
東北大学工学研究科
-
田中 徹
東北大学大学院医工学研究科
-
Koyanagi M
Core Research For Evolutional Science And Technology (crest) Japan Science And Technology Agency:dep
-
Koyanagi Mitumasa
Dept Biology & Geosciences Graduate School Of Science Osaka City University
-
乗木 暁博
東北大学大学院工学研究科
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