Cu-TSV/Cu-Snマイクロバンプを有する薄ウェハのストレス評価(配線・実装技術と関連材料技術)

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概要

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• マイクロバンプとTSVインターコネクションにより薄いLSIウェハで発生したストレスをマイクロラマン分光による詳細な分析を行った。(i)大型バンプでは、より深部までストレスが伝播する。(ii)バンプ間隔がより小さい場合、ストレスはより広範囲に伝播する。(iii) Cu-TSVに囲まれたSi内で大きな圧縮ストレスに続いて引張ストレスが継続される。

• 2011-01-31

著者

• 小柳 光正

  東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室

• 小柳 光正

  東北大学工学部機械知能工学科

• 田中 徹

  東北大学医工学研究科

• 小柳 光正

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 福島 誉史

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 田中 徹

  東北大学大学院工学研究科:東北大学大学院医工学研究科

• 小柳 光正

  東北大学未来科学技術研究センター

• Kobayashi M

  Department Of Bioengineering And Robotics Tohoku University

• 福島 誉史

  東北大学工学研究科

• 田中 徹

  東北大学大学院医工学研究科

• Koyanagi M

  Core Research For Evolutional Science And Technology (crest) Japan Science And Technology Agency:dep

• Koyanagi Mitumasa

  Dept Biology & Geosciences Graduate School Of Science Osaka City University

• マリヤッパン ムルゲサン

  東北大学未来科学技術共同研究センターNICHe

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