LiNbO_3基板上におけるCr_2O_3薄膜の結晶成長(材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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c面およびr面LiNbO_3(LNO)基板のアニール最適条件探索を行った。c面では温度700℃〜950℃、5〜12時間、r面では温度700℃〜1050℃、3〜24時間大気中でアニールを行った。c面において、5時間では1000℃以上で湾曲したステップ-テラス構造を確認した。12時間では800℃以上で湾曲したステップおよびバンチングステップを確認した。また基板表面に約6.2nmの背の高い微粒子が析出していた。この微粒子の数は、アニール温度が高くなるにつれて減少していた。r面では、アニール時間が5時間以下、もしくはアニール温度が1000℃以上では、針状のステップができることが分かった。700℃ではファセット状のステップおよび数段(約10%)のバンチングステップを確認した。800℃では、直線状のステップおよびバンチングステップを確認した。900℃では階段状のステップを確認した。900℃、12時間でアニールしたr面LNO基板上にCr_2O_3薄膜を成膜した。幅約0.4μm,長さ約4μm以上の一方向に長い一軸異方性を持ったグレインが成長し、グレイン間に約58nmの深い溝が発生していた。ひとつのグレイン表面だけを見ると、nmオーダーで平坦であった。
- 2013-06-14
著者
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