Ni/Mo層上におけるカーボンナノチューブの成長制御(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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カーボンナノチューブ(CNT)の電子ナノデバイス応用を目指し、CNTの位置、成長方向、直径、密度の制御を試みた。石英基板上にパターニングしたNi触媒/Mo下地層から、化学気相成長(CVD)法を用いてCNTを成長させた。熱CVD法を用いることにより、金属パターンの境界のみから選択的にCNTを成長させることができた。また、プラズマCVD法を用いることにより、基板面に対して垂直配向したCNTを作製した。そのCNTの直径は、Ni触媒の膜厚により制御できた。CNTの密度は、原料ガス導入直前に発生させたプラズマの時間を変化させることによって制御できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-02
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