サファイア基板及び白金電極上のCr_2O_3スパッタ薄膜の結晶成長(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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電気磁気効果とは、電界印加によって磁化Mが誘起される現象、もしくは、その逆である。本研究では、電気磁気効果を有する反強磁性絶縁体Cr_2O_3薄膜をサファイア基板上及び、Pt薄膜上に堆積させた。薄膜は、off-axis、DC-RFマグネトロンスパッタ法により作製した。基板温度600℃で最も結晶性の良いCr_2O_3薄膜がAl_2O_3(0001)面上に成長した。平均面粗さ(Ra)、半値幅はそれぞれ、0.28nm、0.23°となった。XRD、RHEEDの結果より、基板の結晶軸に沿ってエピタキシャル成長していることを確認した。Pt/Al_2O_3(1012)上のCr_2O_3薄膜の表面にスパイラル成長を確認した。ステップ高さは0.17nm〜0.32nmとなり、原子レベルで平坦であった。また、Raは0.28nmであった。サファイア基板上とPt薄膜上で、最適Ar、O_2流量比が異なるのは、サファイアとCr_2O_3、PtとCr_2O_3の格子不整合の違いに起因すると考えている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
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