化学気相成長法による単層カーボンナノチューブの配向制御とカイラリティ制御(材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes: SWNTs)を用いたナノスケール電子デバイスを作製するため、面内配向とカイラリティの同時制御を目的とする。その第一段階として、r面サファイア基板を用いた面内配向制御とSWNTs成長中に自由電子レーザ(free electron laser: FEL)を照射したカイラリティ制御を行った。ラマンスペクトル結果より、r面サファイア基板上に成長させた場合、金属性と半導体性のSWNTsが混在して成長しており、SPM表面像より[-111]方向に揃って成長していたが、長さは500nmとなった。SiO_2/Si基板では成長中に800nmのFELを照射することにより、4種類のカイラリティを持ったSWNTsが成長し全て半導体性のみに制限された。
- 2013-06-14
著者
-
岩田 展幸
日本大学理工学部
-
山本 寛
日本大学理工学部
-
矢島 博文
東京理科大
-
石井 宏治
東京理科大学理学部
-
相良 拓実
日本大学理工学部
-
津田 悠作
日本大学理工学部
-
吉田 圭佑
日本大学理工学部
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