面内配向単層カーボンナノチューブの自由電子レーザー照射効果
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概要
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単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes: SWNTs)を用いたナノスケール電子デバイスを作製するため、面内配向とカイラリティの同時制御を目的とする。その第一段階として、γ面サファイア基板を用いた面内配向制御とSWNTs成長中に自由電子レーザ(free electron laser: FEL)を照射したカイラリティ制御を行った。ラマンスペクトル結果より、r面サファイア基板にFEL未照射で成長させた場合、半導体性のSWNTsが成長しており、SPM表面像より[-1101]方向に揃って成長していたが、長さは500nmとなった。SiO_2/Si基板では成長中に800nmのFELを照射することにより、6種類のカイラリティを持ったSWNTsが成長し全て半導体性のみ制限された。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-08-01
著者
-
岩田 展幸
日本大学理工学部
-
山本 寛
日本大学理工学部
-
矢島 博文
東京理科大学理学部
-
矢島 博文
東京理科大
-
石井 宏治
東京理科大学理学部
-
相良 拓実
日本大学理工学部
-
土肥 智史
日本大学理工学部
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