非c軸配向YBCO膜の表面構造・電子状態
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概要
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配向制御可能なYBa_2Cu_3O_y (YBCO)は、積層型デバイスを目指す応用研究と超伝導ギャップ異方性の検証等の基礎研究の両面で重要である。今回高品質・非c軸配向膜を温度傾斜自己テンプレート法を用いてスパッタリング合成し、X線回折、反射高速電子線回折、原子間力顕微鏡による構造解析及び低温走査トンネル分光(LTSTS)による超伝導電子状態の評価を行った。SrTiO3(110)基板上に低温成長層を575℃、高温成長層を750℃で形成することにより、(110)軸が膜面垂直に単一配向した高Tc膜(Tc(ρ=0)max=88。6K)が得られた。この時、膜表面には台地状の構造が見られたがテラス幅はかなり広く、このテラス上でLTSTSを行ったところ、d波超伝導体のトンネルスペクトルで期待されるゼロバイアスコンダクタンスピークが観測された。(100)膜に関しても同様な形成法により単一配向、平坦かつ高いTc(ρ=0)>85Kが得られることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-13
著者
-
山本 寛
日本大学理工学部
-
伊原 英雄
産総研
-
寺田 教男
鹿児島大工:電総研:crest
-
寺田 教男
電子技術総合研究所
-
小柳 正男
電子技術総合研究所
-
小柳 正男
電総研
-
伊原 英雄
電子技術総合研究所
-
柏谷 聡
電子技術総合研究所 科学技術振興事業団
-
高島 浩
産業技術総合研
-
小澤 博友
日本大学理工学部電子工学科
-
高島 浩
電子技術総合研究所材料科学部超伝導材料研究室
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