ディッピング法によって溶液から析出するC_<60>結晶成長 : ハイパフォーマンス・ナノスケール電界効果型C_<60>トランジスタの簡易作製を目指して(薄膜プロセス・材料,一般)

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概要

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スパッタ法により熱酸化Si基板上に金電極を成膜した。基板はアセトン、エタノールに洗浄した。その後、オゾン処理、アルキル基によって終端した基板を用意した。また、金電極はアルキル基、ヒドロキシル基、フェニル基による終端、オゾン処理を行った。トルエンにC_<60>粉末を飽和させた溶液に金電極をスパッタした基板をディッピングし、電極間に直接C_<60>結晶を成長させた。未処理のSiO_2、オゾン処理、ヒドロキシル基で終端された親水性の表面には、針状のC_<60>結晶が成長した。一方、アルキル基で終端された疎水性の表面には粒子状のC_<60>結晶が成長した。フェニル基で終端された金電極表面付近でより多くの針状C_<60>結晶が成長した。中でも、基板をアルキル基、金電極をオゾン処理した電極間に、幅約4μmの針状C_<60>結晶が架橋した。C_<60>結晶成長はディッピング速度、電極形状、表面処理により変化することがわかった。
2009-10-22

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