単層カーボンナノチューブ品質向上を目指したコールドウオール化学気相成長装置の基板ヒーター開発
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概要
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単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes :SWNTs)を用いたナノスケール電子デバイス作製を目指し、アルコール触媒化学気相成長(alcohol catalytic chemical vapor deposition : ACCVD)法の開発を進めてきた。今回、コールドウオールCVD装置における、基板ヒーター周辺の機構や構造の改善を図りつつ、高品質SWNTsの最適作製条件を検討した。さらに、比較的高品質なSWNTsが作製できる条件の下で、カイラリティの選択的制御を可能とするために、SWNT成長中に800 nm の自由電子レーザ(FEL)を照射する新規プロセスを開発した。その結果、通常のCVDでは多種類のカイラリティの混在するSWNTs が形成されるのに対し、FEL照射CVD法によって、はじめて数種類の半導体カイラリティを持つSWNTsのみが成長することを確認した。本研究の成果は、今後の半導体SWNTsデバイス作製に適用される、有望なプロセスの一つが開発出来たことを意味している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-07-25
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