DCプラズマ援用CVDを用いた触媒薄膜断面における垂直配向CNT成長
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概要
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CNTのナノスケール電子デバイス応用を目指し、CNTの位置制御、配向制御を試みた。今回我々は、触媒層の断面を垂直配向CNTの位置制御に利用することを提案する。基板表面からCNTが成長しないように、Ni触媒層上にMo被覆層を積層した。ダイヤモンドペン、FIB、リフトオフ法を用い、積層膜を削り取ることにより、断面からNi触媒層を露出させた。CNTは、DCプラズマCVD法を用いて成長させた。SEM像、TEM像から、基板面に垂直な方向に直径約25nmの多層CNTが成長していることを確認した。垂直配向CNTは、触媒層断面のみから成長していた。よって、厚さ数十nmの触媒層断面をナノスケール触媒位置制御に利用できることが確かめられた。今回提案した成長制御技術は、様々なCNTナノデバイスの作製に応用できると期待している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-02
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