自由電子レーザ照射による単層カーボンナノチューブの成長中カイラリティ制御(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
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概要
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単層カーボンナノチューブ(SWNT)は直径とカイラリティによって金属、半導体になる。SWNTをナノ電子デバイスに応用するためにはカイラリティの制御が必要である。しかし、現在までにカイラリティ制御の確立された手法は報告されていない。我々は自由電子レーザ(FEL)を照射してSWNTのカイラリティ制御の手法を確立させることを目指している。照射したFELの波長は直径1.1nmの半導体SWNTの光吸収波長域である800nmを選択した。成長したSWNTは532nmと785nmのRaman分光装置により構造解析を行った。FEL未照射時はどちらの励起波長でも直径1.1nmを示すRBMが存在した。FEL照射時は励起波長785nmのみRBMが存在した。800nmのFEL照射によって半導体SWNTの成長を選択的に促進することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-07-16
著者
-
岩田 展幸
日本大学理工学部
-
山本 寛
日本大学理工学部
-
矢島 博文
東京理科大学理学部
-
矢島 博文
東京理科大
-
境 恵二郎
日本大学理工学部
-
金木 邦英
東京理科大学理学部
-
石塚 大祐
日本大学理工学部
-
矢島 博文
東京理大理
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