表面処理によるC_<60>ウィスカーの成長位置制御と電気特性(材料デバイスサマーミーティング)

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
C_<60>はn型の有機FET材料として注目されており、本研究ではナノスケールFETを目指している。その第一段階としてμm スケールのC_<60>ウィスカーを成長させ電気特性を明らかにする。しかしながらC_<60>ウィスカーの成長位置、成長方向の制御ができていないため、我々は表面処理とディップコート法に着目した。表面処理を施し親水性を持たせることでC_<60>ウィスカーの成長位置の制御、ディップコート法によりC_<60>ウィスカーの成長方向の制御を目指した。本研究では未処理の場合と電極、電極間にO_3処理を施した場合を比較検討する。また、C_<60>ウィスカーは温度や紫外線照射によってモノマーとポリマーの転移が報告がされている。C_<60>ウィスカーはポリマー化に転移することで、電気特性が変化する。そこで作製したC_<60>ウィスカーをRaman分光法で測定しつつ、電流特性を測定した。
2013-06-14

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク