Zn-Ga-Oスパッタ薄膜の構造及び低速電子線励起発光特性
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概要
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FED(Filed Emission Displey)に適した高性能蛍光材料の開発を目指して、スパッタ成膜ならびにin-situ蛍光特性評価が一体となった真空システムを開発・作製し、Zn-Ga-O蛍光薄膜作製と低速電子線励起発光特性の評価を行った。ターゲットをZnGa204、基板温度500℃として成膜したスパッタ薄膜において蛍光発光を観察した。その蛍光発光スペクトルはZnOのそれと類似していた。得られた薄膜は非晶質であり、膜厚方向に特徴的な組成変調が存在した。その膜中の表面層はZnリッチであり深い層はGaリッチであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-03
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