超伝導デバイス応用を目指した電気磁気効果を示す酸化物薄膜の作製(デジタル,一般)
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概要
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単一磁束量子デバイスへの応用を目指して、電気磁気(ME)効果を示す酸化物薄膜Cr_2O_3を作製した。Cr_2O_3はME材料の中で最も代表的な酸化物で反強磁性絶縁体である。Off-axis DC-RFマグネトロンスパッタ法を用いて、R面サファイア基板上に薄膜を堆積させた。ターゲットはCr金属である。600℃で最も結晶性が高かった。X線回折では、R面に起因するブラッグ反射のみ現れた。(1-102)のロッキングカーブの半値幅は0.359°であった。薄膜表面は、ステップーテラス構造を有し、表面荒さRaは0.80nmと非常に平坦であった。ステップ高さは数格子分のパンチングステップであった。エピタキシャル成長していると考えている。SrTiO_3基板上にCeO_2をバッファー層としてCr_2O_3を成長させた。膜面垂直方向の電気的耐圧は0.24MV/cmであった。見積もった誘起磁界は50Kで1gaussであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-10-26
著者
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