CPM2000-87 真空蒸着法によるC60超薄膜の作製
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概要
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真空蒸着法により、K-CellからC60粉末を昇華させ雲母基板上にC60薄膜を形成した。膜成長モードとして、基板温度200〜230°CまでのVolmer-Weberタイプと240〜260°CのFrank-van der Merweタイプが見い出された。また、基板温度240°Cでは雲母基板の一部に(111)エピタキシャル成長が確認された。表面平滑な超薄膜形成を目指した結果、基板温度250°Cにおいて、膜厚約10nmのほぼ連続的なC60超薄膜が形成された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
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